((Traduction automatisée par Reuters à l'aide de l'apprentissage automatique et de l'IA générative, veuillez vous référer à l'avertissement suivant: https://bit.ly/rtrsauto)) par Heekyong Yang
Samsung Electronics 005930.KS a annoncé samedi avoir conclu un accord avec le concepteur américain de puces Broadcom AVGO.O afin d'élargir leur coopération dans les domaines des puces mémoire, de la fabrication de puces en sous-traitance et des techniques d'encapsulation avancées, pour un montant qui devrait dépasser les 200 milliards de dollars d'ici 2030.
L'obtention d'engagements de production à long terme de la part de Broadcom, l'un des principaux concepteurs mondiaux de puces d'IA sur mesure, pourrait stimuler le taux d'utilisation des installations de fabrication de pointe de Samsung et lui permettre de prendre une longueur d'avance dans la course à la fourniture de puces d'IA.
“Cette collaboration élargie … reflète la volonté de Samsung d’accompagner ses clients grâce à des technologies de semi-conducteurs de bout en bout, couvrant un éventail de plus en plus diversifié d’applications d’IA et de calcul haute performance”, a déclaré l’entreprise dans un communiqué.
Ce partenariat intervient alors que les entreprises technologiques mondiales développent de plus en plus leurs propres accélérateurs d’IA sur mesure, plutôt que de s’appuyer uniquement sur des processeurs graphiques à usage général, ce qui stimule la demande de partenariats spécialisés dans la conception et la fabrication de puces.
Le protocole d’accord signé par les deux entreprises souligne les efforts de Samsung pour renforcer sa position dans le domaine des semi-conducteurs destinés à l’IA en consolidant ses liens à long terme avec Broadcom, dans un contexte de demande croissante de processeurs d’IA sur mesure.
Au cours des cinq prochaines années de collaboration, l’expertise de Broadcom en matière de conception de circuits intégrés spécifiques à une application (ASIC), ou de puces destinées à des tâches spécifiques, sera associée aux capacités de fabrication de Samsung.
Selon Samsung, cet accord prévoit que les puces de communication de nouvelle génération de Broadcom, conçues pour le transfert de données à haut débit, soient fabriquées à l’aide de la technologie de processus inférieure à 2 nanomètres de Samsung.
Les deux entreprises collaboreront également sur des produits de mémoire à bande passante élevée de nouvelle génération (HBM).
Ce partenariat pourrait contribuer à renforcer l’activité de fonderie de Samsung, qui cherche à réduire l’écart avec le leader du secteur, TSMC 2330.TW , en séduisant de grands clients du secteur technologique.
Le mois dernier, Jun Young-hyun, co-directeur général et directeur de la division puces, a déclaré avoir discuté d’une coopération de nouvelle génération en matière de fonderie avec Jensen Huang, directeur général de Nvidia NVDA.O , notamment concernant les futurs produits de mémoire HBM4E et HBM5.
Samsung a indiqué cette année qu’il comptait décrocher à court terme de nouvelles commandes de puces en 2 nanomètres à la suite de discussions avec de grandes entreprises technologiques. L’année dernière, le groupe a remporté un contrat de 16,5 milliards de dollars pour la fabrication de puces logiques destinées au constructeur de véhicules électriques Tesla TSLA.O .
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