SOITEC : Ramp up Tower Semiconductors photonique au Japon.

M4225961

30 sept. 2026 •07:34

Tower Semiconductor et la photonique sur silicium
Selon le rapport exclusif de Jiwei, Tower Semiconductor investira plus de 600 milliards de yens — environ 4 milliards de dollars, avec des subventions maximales d’environ 160 milliards de yens du ministère japonais de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie — afin de construire au Japon son plus grand centre de fabrication de semi-conducteurs pour communications optiques.
L’usine Niigata Arai, anciennement Fab 6, sera convertie en une plateforme 300 mm dédiée à la photonique sur silicium et au packaging optique avancé, tandis que la capacité 300 mm de Toyama Fab 7 sera portée à son maximum.
Les nouvelles capacités des deux fabs devraient être prêtes pour une production de masse au quatrième trimestre 2027, afin de soutenir un chiffre d’affaires projeté d’environ 3,6 milliards de dollars et un bénéfice net de 1,2 milliard de dollars pour l’exercice 2028.
Les nouvelles installations construites dans le cadre de la phase II devraient commencer à générer des revenus à partir de 2029. L’objectif de capacité mensuelle au Japon atteindrait 45 000 wafers équivalents 300 mm.
Le chiffre d’affaires annualisé de Tower dans la photonique sur silicium a atteint 680 millions de dollars au deuxième trimestre, soit une progression d’environ 278 % sur un an.
Tower aurait déjà sécurisé pour 1,3 milliard de dollars de contrats à long terme portant sur des wafers de photonique sur silicium, correspondant aux capacités de 2027.
Tower détiendrait plus de 80 % du marché des services de fonderie de puces pour communications optiques destinées aux serveurs, avec notamment NVIDIA et Marvell parmi ses clients.
Selon les prévisions de LightCounting, le marché mondial des puces de photonique sur silicium devrait passer de 4 milliards de dollars en 2025 à 15 milliards de dollars en 2031, tandis que les ventes de modules optiques, AOC, NPO et CPO devraient approcher 80 milliards de dollars en 2031.