Aller au contenu principal
Fermer
Forum SOITEC
161,7000 EUR
-5,63% 
indice de référenceSBF 120

FR0013227113 SOI

Euronext Paris données temps réel
  • ouverture

    171,1000

  • clôture veille

    171,3500

  • + haut

    180,0000

  • + bas

    159,1500

  • volume

    744 456

  • capital échangé

    2,08%

  • valorisation

    5 784 MEUR

  • dernier échange

    11.05.26 / 17:36:52

  • limite à la baisse

    Qu'est-ce qu'une limite à la hausse/baisse ?

    Fermer

    153,6500

  • limite à la hausse

    Qu'est-ce qu'une limite à la hausse/baisse ?

    Fermer

    169,7500

  • rendement estimé 2026

    -

  • PER estimé 2026

    Qu'est-ce que le PER ?

    Fermer

    -

  • dernier dividende

    A quoi correspond le montant du dernier dividende versé ?

    Fermer

    0,00 EUR

  • date dernier dividende

    -

  • prochain dividende

    -

  • Éligibilité

    Qu'est-ce que le SRD ?

    Fermer

    Qu'est-ce que le PEA ?

    Fermer

    Qu'est-ce que le PEA-PME ?

    Fermer

    Qu'est-ce que BoursoVie Lux

    Fermer

    Qu'est-ce que le CTO Business ?

    Fermer

    Que sont les horaires étendus

    Fermer
  • Risque ESG

    Qu'est-ce que le risque ESG ?

    Fermer

    23,6/100 (moyen)

  • + Alerte

  • + Portefeuille

  • + Liste

Retour au sujet SOITEC

SOITEC : L'AVENIR ??

11 mai 2026 14:41

1.Contexte de la collaboration
Annonce officielle : le 3 juin 2025, SOITEC et PSMC ont signé un accord stratégique pour développer la technologie TLT ultrafine, première fois annoncée publiquement.
Objectif : permettre l'empilement 3D de puces à léchelle nanométrique, ouvrant la voie à des semi- conducteurs plus puissants, compacts et économes en énergie.
2.Rôle de chaque partenaire
SOITEC fournit des substrats de 300 mm intégrant une couche de libération prête pour la TLT, utilisant sa technologie propriétaire Smart CutTM et un procédé de libération par laser infrarouge (IR)
PSMCmet en œuvre le processus d'empilement 3D au niveau du wafer, démontrant l'intégration de couches de transistors ultra-minces sur divers types de substrats, et réalise des démonstrations de l'architecture 3D à l'échelle nanométrique
3.Caractéristiques techniques de la TLT
Epaisseur de la couche transférée : entre 5 nm et 1 µm

Processus :Smart Cut™ découpe une couche cristalline ultra-fine sur un substrat donneur (SiC, GaN, InGaN, InP).
Un laser IR libère la couche, qui est ensuite transférée sur le substrat cible sans contrainte thermique ni dommage aux dispositifs
Avantages :Transfert à grande vitesse de couches de transistors ultra-minces.
Possibilité d'intégration verticale de composants hétérogènes dans un même boîtier.
Réduction de l'épaisseur des wafers empilés ( de micromètres à nanomètres )
Renforcement de la loi de Moore.

4. Démonstrations et progrès réalisés :
Au cours des deux dernières années de collaboration, PSMC a démontré un processus intégré d'empilement de wafers utilisant la technologie TLT de Soitec
Cette démonstration a montré la faisabilité de l'empilement au niveau du wafer, ouvrant la voie à des architectures de transistors 3D, notamment des FET verticaux avec réseaux d'alimentation électrique par l'arrière (PDN)

5. Applications potentielles
Smartphones, tablettes et appareils intelligents.
Systèmes de conduite autonome.
Applications AI et edge computing.
Toute technologie nécessitant des puces plus puissantes, plus compactes et moins énergivores.
6.Statut actuel
Première annonce publique : la technologie TLT n'a pas encore été commercialisée ; elle est en phase de démonstration et de validation technique.
Objectif : établir les fondations d'une nouvelle génération de semi-conducteurs 3D, avec des démonstrations de faisabilité déjà réalisées et un partenariat actif entre Soitec et PSMC pour poursuivre le développement

1 réponse

  • 15:05

    nouvelle usine PSMC et pleine production prévue en 2028 si mes souvenirs sont bons


Signaler le message

Fermer

Qui a recommandé ce message ?

Fermer
Retour au sujet SOITEC

Mes listes

Cette liste ne contient aucune valeur.
Chargement...