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SOITEC : SmartSic

25 nov. 2025 09:19

We’re pleased to share that Soitec’s #SmartSiC™ technology takes another step forward, as Diodes Incorporated has validated our 150mm SmartSiC™ substrates for its 650V SiC Schottky diodes, with additional performance improvements demonstrated on 1200V VDMOSFET devices presented at #ICSCRM2025.

The results confirm the strong contribution of engineered SmartSiC™ wafers in reducing ON-resistance and enhancing the efficiency of SiC power devices. The first packaged parts have now passed initial robustness checks, enabling Clas-SiC Wafer Fab Ltd to offer SmartSiC™ as a substrate option within its 1200V MOSFET PDK.

As Christophe Maleville, Soitec’s CTO, highlighted:
“Our cutting-edge SmartSiC™ technology is an innovative technology for the increasing market demand for SiC Power Devices with better efficiency and higher power density. The combination of Soitec’s SmartSiC™ substrates with Diodes.Inc industry-leading devices can be a great combination for automotive and industry Power Devices markets.”

SmartSiC™ also brings a meaningful #sustainability advantage: each high-quality donor wafer can be reused multiple times thanks to #SmartCut™, significantly reducing the environmental footprint associated with SiC wafer production.

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