Rebond des valeurs américaines du secteur des semi-conducteurs ; l'indice SOX atteint un niveau record

information fournie par Reuters •18/06/2026 à 17:42

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18 juin - ** Les actions du secteur des semi-conducteurs bondissent en début de séance, rebondissant après leurs récentes pertes pour atteindre de nouveaux sommets

** Le titre Intel INTC.O bondit de 8,9% pour atteindre un plus haut historique après que le président américain Donald Trump a déclaré qu’Apple AAPL.O avait accepté de collaborer avec Intel pour concevoir et fabriquer ses puces aux États-Unis

** L’indice Philadelphia SE Semiconductor .SOX , plus large, grimpe de 6,1% pour atteindre un record historique

** Marvell Technology est en tête des hausses, avec un bond de près de 12%, tandis que Nvidia NVDA.O progresse de 2,4% et affiche désormais une capitalisation boursière supérieure à 5 000 milliards de dollars

** Micron Technology MU.O progresse de 8% après que Stifel, Rosenblatt Securities et Wedbush ont relevé leur objectif de cours sur le titre en prévision des résultats trimestriels attendus le 24 juin

** “Nous voyons un potentiel de hausse des prix de la mémoire HBM (mémoire à bande passante élevée), ce qui réduira l’écart de marge brute par rapport à la DDR5 (mémoire à double débit de données de 5e génération) et permettra d’accroître encore la marge brute de l’entreprise”, déclarent les analystes de Rosenblatt, qualifiant ce phénomène de “cycle de mémoire plus solide et plus durable”

** Ils fixent un objectif de cours à 1.200 $; l’objectif de cours médian est de 1.105 $ et la recommandation moyenne est “acheter”, selon les données de LSEG

** Autres valeurs du secteur de la mémoire: Sandisk SNDK.O , Western Digital WDC.O , Seagate STX.O , en hausse de 2,7% à 11,2%

** ARM Holdings ARM.O en hausse de 6%, Microchip MCHP.O gagne 5,4%, Applied Materials AMAT.O progresse de 6,5% et Qualcomm QCOM.O en hausse de 4,4%

** L'ETF iShares sur les semi-conducteurs SOXX.O progresse de 6%, l'ETF Vaneck sur les semi-conducteurs SMH.O de 5% et l'ETF Roundhill sur les mémoires DRAM.Z de10%