SOITEC : Photonic : GF passe au 300 mm en 45 nm

M2458840

15 mars 2018 •09:51

L'offre de photonique au silicium de GF est basée sur son procédé RF SOI de 90 nm. La plate-forme peut offrir des solutions offrant une bande passante de 30 GHz pour prendre en charge des débits de données allant jusqu'à 800 Gbps côté client, ainsi que des capacités de longue portée pouvant atteindre 120 km.

Cette technologie, précédemment fabriquée à partir de tranches de 200 mm, est maintenant qualifiée sur des plaquettes de 300 mm de diamètre à l'usine Fab 10 de GF à East Fishkill, NY. La migration à 300 mm permet une plus grande capacité de production, une productivité de fabrication Réduction de 2X des pertes photoniques pour améliorer la portée et permettre des systèmes optiques plus efficaces.

La technologie 90nm est supportée par un PDK complet pour la co-conception E / O / E, la polarisation, la température et la longueur d'onde de Cadence Design Systems, ainsi que des tests photoniques incluant cinq secteurs de test: vérification de la technologie et test du produit MCM.

L'offre photonique monolithique de GF de nouvelle génération sera fabriquée sur son procédé RF SOI de 45 nm, dont la production est prévue pour 2019. En tirant parti du nœud 45nm plus avancé, cette technologie permettra une puissance réduite, un facteur de forme plus petit et des produits d'émetteur-récepteur optique à large bande passante .