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SOITEC : Le CEA-Leti

03 déc. 2018 12:42


https://translate.google.fr/translate?hl=fr&sl=en&u=http://www.newelectr onics.co.uk/electronics-news/cea-leti-and-silvaco-look-to-develop-innovative-spi ce-models/196840/&prev=search Le CEA-Leti et Silvaco envisagent de développer des modèles SPICE innovants

Le Leti, un institut de recherche du CEA-Tech, et Silvaco, un fournisseur de logiciels, d'IP et de services pour la conception de puces et de systèmes électroniques pour les entreprises de semi-conducteurs, ont annoncé un projet de développement de modèles compacts innovants et unifiés SPICE pour la conception de circuits avancés utilisant nanofils et nanosheet.

Le nouveau modèle prédictif et physique compact en cours de développement, Leti-NSP, s'appuiera sur l'expérience du Leti en matière de développement de modèles, qui inclut le modèle Leti-UTSOI pour la technologie FD-SOI. Le modèle compact Leti-NSP utilise une nouvelle méthodologie pour le calcul du potentiel de surface, y compris le confinement quantique. Le modèle est capable de gérer des formes en coupe transversale arbitraires de MOSFET GAA plans et verticaux empilés (circulaires, carrés, rectangulaires). Il fournit un outil approprié pour l'exploration de la conception d'architectures de dispositifs à nanofils et à nanofils.
Cette collaboration de trois ans mettra les nouveaux modèles d'appareils à la disposition des concepteurs via SmartSpice, le simulateur SPICE parallèle hautes performances de Silvaco, destiné aux concepteurs de circuits. Le flux d'extraction correspondant aux paramètres du modèle sera implémenté dans Utmost IV (TM), l'environnement de caractérisation des dispositifs à semi-conducteurs piloté par base de données de Silvaco, afin de garantir un ajustement précis entre les caractéristiques des dispositifs simulés et mesurés.
Outre la caractérisation et la simulation précises des dispositifs, une solution complète inclut la simulation TCAD et l'extraction parasite 3D. Le partenariat de Silvaco avec des instituts de recherche de premier plan pour la technologie atomistique TCAD, et sa technologie de résolution, aideront à fournir ce qu'ils pensent être la solution la plus précise de co-optimisation de la technologie de conception (DTCO) pour les technologies nanométriques.
«En deux décennies, le CEA-Leti et Silvaco ont collaboré à la co-optimisation technologie-conception, allant de la simulation TCAD innovante à la conception de la nanoélectronique avancée, et ont ainsi élargi et renforcé la suite d'outils Silvaco pour les concepteurs», a déclaré Emmanuel Sabonnadière, CEA. -Leti PDG. «Ce projet poursuit ce partenariat et, lorsque ces modèles compacts basés sur la physique seront mis à la disposition des concepteurs du monde entier, ils seront en mesure d'évaluer le potentiel des technologies CMOS avancées à base de nanofils en cours de développement au CEA-Leti.»
"DTCO, y compris la simulation de circuit, est fondamental pour le développement de dispositifs électroniques, et la réduction des géométries en silicium accorde une importance encore plus grande à la précision pour capturer et évaluer tous les nouveaux effets physiques de la conception nanométrique", a déclaré Eric Guichard, vice-président de Silvaco. Division TCAD. «Ce projet fournira aux concepteurs de circuits et aux techniciens de circuits des flux de conception puissants et avancés associant les modèles physiques, prédictifs et faciles à utiliser du CEA-Leti aux outils EDA haute précision de Silvaco.»

4 réponses

  • 03 décembre 2018 12:48

    Bonjour
    Reco y352


  • 04 décembre 2018 07:19


    https://translate.google.fr/translate?hl=fr&sl=en&u=https://www.electronicsweekl y.com/news/business/leti-adds-modules-300mm-line-2018-12/&prev=search




    L eti ajoute des modules à la ligne 300mm

    Le Leti a étendu sa ligne de 300 mm pour permettre l'insertion de nouveaux modules technologiques dans les flux industriels ou la compatibilité avec ceux-ci.


    Les voies technologiques ciblées et les applications ciblées associées pour l'extension de ligne 300 mm comprennent:
    mémoire: RAM à changement de phase (PCRAM), mémoire résistive à base d'oxyde (OxRAM), RAM à pont conducteur (CBRAM)
    capteurs d'image verticaux
    photonique: III-V sur silicium, photonique intégrée...
    électronique de puissance: transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
    HPC et AI de bord: FD-SOI et dérivés, tels que l'empilement séquentiel et les bits quantiques Si pour l'informatique quantique
    Collage 3D plaquette à plaquette ou matrice à plaquette, assemblage hybride: substrats et transfert de couche pour substrats avancés en collaboration avec Soitec.


  • 09 décembre 2018 19:39

    Reco ça m'avait échappé


  • 10 décembre 2018 12:58

    Reco


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