SOITEC : Du 22 FDX pour le CNES

M2458840

08 févr. 2017 •09:29

Description

L’objectif de ce projet de Recherche est d’étudier l’effet en dose cumulée ou « Total Ionizing Dose » sur la technologie FDSOI 22nm de Global Foundries.
Une étude bibliographique des effets de dose sur les technologies FDSOI (Fully Depleted Silicon Oxide Insulator) permettra de se familiariser avec les particularités de cette famille technologique et avec les effets en dose cumulée associés ; le but étant de comprendre les effets radiatifs TID sur les caractéristiques électriques des dispositifs MOSFET FDSOI.
En s'appuyant notamment sur des travaux de modélisation, nous chercherons à mettre en évidence les processus mis en jeu pour développer des solutions de durcissement au niveau technologique, layout, librairie ou design. La production de véhicules de test composés de dispositifs élémentaires et d’éléments de librairie durcis permettra de vérifier la pertinence des options proposées, issues de la simulation des modèles. De plus, ces véhicules de test permettront de calibrer les modèles vis-à-vis des résultats expérimentaux.